在晶体管工作时，由耗散功率转换成的热址必须及时排散掉，否则晶体管会因沮度过高而烧毁.晶体管中耗散功率主要耗散在集电极结附近，所以集电极的结沮对晶体管的电学性能是至关重要的限制参数。
        将有源与无源元件适当组合.分别组装在芯片上.然后将芯片再焊接到陶瓷或金属基板上，这种基板可以构成外部封装.也可以将芯片娜接到外壳上。这些封装形式还提供了与其他器件的必要电气连接。对于单芯片组件(SCM).每个封装只装进一个芯片;对于多芯片组件(MCM).则可封装几个甚至十几个芯片。芯片的耗散热由导热传至基板.或由导热、对流和辐射的某种组合传至扁平封装或密封外壳上。芯片的热流密度相当大，且不均匀.芯片与基板之间焊接材料的热阻很大，芯片与基板或外壳之间的导热路径往往是曲折的。一般情况下，可综合得到芯片中每个结点与集成电路封装外壳之间重要的总阻。